TEORIA - CLASIFICANDO FETs
   
  Los transistores de efecto de campo, en los que la circulación de corriente se realiza por un canal, comandado por un "campo" establecido en forma externa, hoy se encuentran en la mayoría de las aplicaciones en cualquiera de sus formas. En este artículo veremos los modelos más empleados y cuáles son sus principales características.
   
  - INTRODUCCION
   
 
   
  Un transistor de efecto de campo (fet) es un dispositivo semiconductor en el cual la circulación de portadores de carga en un canal entre dos terminales, denominados fuente y drenaje, se encuentra controlado por un campo transversal resultante de la aplicación de una diferencia de potencial entre uno de dichos terminales y un tercero, de control, terminal que se conoce como compuerta. Esta definición es un punto de partida apropiado y puede extenderse para incluir a los dispostivos que tienen dos compuertas.

La manera en que se consigue la función de control sin la necesidad de una entrada de potencia de cc significativa, permite la clasificación de fets en dos categorías básicas, cada una de las cuales puede a su vez ser dividida.

EFECTOS DE CAMPO DE JUNTURA
El voltaje aplicado a la juntura p-n con polarización inversa asociada con el terminal de compuerta determina el espesor de las capas de juntura y esto altera las dimensiones efectivas del canal conductor. Este puede estar construído con material del tipo p o del tipo n. Este es el dispositivo que se conoce normalmente como fet o transistor de efecto de campo.

FET DE COMPUERTA AISLADA
La tensión aplicada al terminal de compuerta determina la carga inducida en un material semiconductor que está eléctricamente aislado de la compuerta. La carga inducida puede establecer un canal conductor en donde no existía ninguno antes, tal como en el caso de los dispositivos tipo n o p de enriquecimiento o modular la conductividad de un canal ya existente. Este es el caso de los n y p tipo empobrecimiento.

Los primeros "igfets" se hicieron empleando las técnicas de proceso ya establecidas para la fabricación de dispositivos bipolares, y como resultado, tienen una compuerta metálica y un óxido como aislador. Esto dio lugar a la designación most (metal oxide semiconductor transistor): los famosos mosfet.
   
 
   
  - DESCRIPCION GENERAL EN CC
   
 
   
 
El símbolo que se ve en la figura 1 representa a un fet de tipo no especificado, las flechas representan la convención de signos para IDS, VDS y VGS. La familia relevante de curvas características de |IDS| versus |VDS| se observan en la figura 2.

Es aparente que |IDS| se acerca a cero para VGS = VY, siendo VY la tensión de corte o el límite de la tensión de conducción. Para los fets comunes, es conocido como pinch-off voltaje y se escribe normalmente como (figura 2-2), mientras que para los igfets se la describe como voltaje límite o inicio (threshold voltaje) y se escribe VT. La forma |IDS| = 0, se usa porque a menudo es más conveniente medir VY a alguna corriente prescripta de unos pocos uA.

Cuando |VDS| < |VGS-VY|, el fet opera en la región pre-pinch-off, o región óhmica o de saturación de voltaje. Para |VDS| > |VGS-VY|, el fet opera en la región de corriente constante y ya que las curvas son paralelas al eje VDS, podemos escribir una expresión para IDS que no involucra a VDS:
   
 
   
  La relación de cc del dispositivo con los signos apropiados es la base para la clasificación en la figura circular, la que una la característica de transferencia con su representación simbólica y un dibujo simple de la construcción de cada dispositivo. Note que el dispositivo está solamente on y en el modo pinch-off para aquella parte de la parábola IDS, VGS que tiene una pendiente positiva. Una línea gruesa continua que conecta a s y d indica que para: VGS = 0, |IDS| = |IDSS| > 0.

Todos los dispositivos dibujados así se llaman fets de empobrecimiento.
   
 
   
 
Ing. Arnoldo C. Galetto - Email: cargal@ciudad.com.ar